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基于多目标遗传算法的复合绝缘子电场优化方法
专利权人:
河海大学常州校区
发明人:
苗红霞,贾澜,施祺,姜欣宜
申请号:
CN201510490452.7
公开号:
CN105005675A
申请日:
2015.08.11
申请国别(地区):
中国
年份:
2015
代理人:
袁兴隆
摘要:
本发明公开了一种基于多目标遗传算法的复合绝缘子电场优化方法,包括以下步骤:1)解决静电场开域问题;2)建立复合绝缘子几何模型;3)在Maxwell软件中,对复合绝缘子电场强度进行数值计算;4)为克服Maxwell软件优化模块的局限性,采用该软件VB脚本,实现了与MATLAB软件的数据接口;5)在MATLAB软件中,采用多目标遗传算法对伞裙半径进行优化;6)得出优化的复合绝缘子电场分布。本发明以场强极差Range_E最小和场强梯度最大值Max_GradE最小作为多优化目标,对复合绝缘子大、中、小伞裙半径进行优化,使得复合绝缘子电场分布更加均匀。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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