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一种稀土掺杂双长余辉纳米材料及其制备方法和用途
专利权人:
厦门稀土材料研究所
发明人:
张云,明丽艳,宋良,张肖
申请号:
CN202010149574.0
公开号:
CN111269720A
申请日:
2020.06.03
申请国别(地区):
CN
年份:
2020
代理人:
摘要:
本发明公开了一种稀土掺杂双长余辉纳米材料及其制备方法和用途。其中纳米材料的分子式为Y3Al2Ga3O12:0.01‑0.02Ce,0.05‑0.08Er,0.01‑0.02Cr,金属离子比为Y:Al:Ga:Ce:Cr:Er=3:2:3:0.01:0.01:0.06。本发明提供了一种形貌可控分散性好的稀土掺杂可见光和近红外二区同时发射的长余辉纳米材料(YAGG:Cr‑Ce‑Er),该材料克服了传统长余辉纳米材料尺寸不均一,分散性差等不足的问题。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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