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半導体の表面に金属コンタクトを形成する方法及び金属コンタクトを備える装置
- 专利权人:
- フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウＦｏｒｓｃｈｕｎｇｓｖｅｒｂｕｎｄ Ｂｅｒｌｉｎ ｅ．Ｖ．
- 发明人:
- アインフェルト， スヴェン,レダエリ， ルカ,クナイスル， ミヒャエル
- 申请号：
- JP20160540602
- 公开号：
- JP2017502511(A)
- 申请日:
- 2014.12.17
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】半導体の表面に少なくとも一つの金属コンタクトを形成するための方法及び少なくとも一つの金属コンタクトを備える装置を提供すること。【解決手段】この方法は、半導体（１０）の表面（１１）に少なくとも一つの金属コンタクト（６０）を形成するために使用され、半導体表面（１１）にパラジウムの金属層（２０）を形成するステップと、前記金属層（２０）上のマスク（４０、５０）を形成するステップと、前記マスク（４０、５０）を用いて、少なくとも前記金属層（２０）を構造化するステップとを含み、前記構造化ステップによって、前記金属層の金属の側面蒸着物（２１）が前記マスクに生成され、構造化ステップ後に、前記マスクは前記蒸着物（２１）と構造化金属層（２０'）との間に挟まれている。この方法は導電性ハードマ
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
