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高强度抑菌抗菌二硅酸锂玻璃陶瓷及其制备方法
专利权人:
长春理工大学
发明人:
吕景文,祝佳祺,郑涛
申请号:
CN201710073325.6
公开号:
CN106746675B
申请日:
2017.10.02
申请国别(地区):
CN
年份:
2019
代理人:
摘要:
高强度抑菌抗菌特性二硅酸锂玻璃陶瓷及其制备方法属于生物材料技术领域。现有技术尚无在二硅酸锂玻璃陶瓷中掺杂Ag+、Zn2+、Cu2+的牙科全瓷修复材料。本发明其特征在于,按基体玻璃重量百分配比为基体玻璃配料,另外按基体玻璃重量0.1~8%的比例确定所述高强度抑菌抗菌二硅酸锂玻璃陶瓷中Ag2O、ZnO、CuO的总量,并且,0≤Ag2O含量≤2%,0≤ZnO≤5%,0≤CuO含量≤1%,只允许Ag2O、ZnO、CuO含量中的两个含量同时等于零,采用高温熔融法制得基体玻璃;将所制得的基体玻璃在450℃~550℃温度下核化1.5~2.5h;再进行三步晶化:在650~680℃温度下晶化1~3小时,在710~740℃温度下晶化20~60分钟,在800~830℃温度下晶化10~20分钟,得高强度抑菌抗菌二硅酸锂玻璃陶瓷。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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