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PLASMA GENERATING DEVICE AND PLASMA GENERATION CONTROL METHOD
专利权人:
IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY)
发明人:
CHUNG, KYU SUNKR,정규선,SHIM, YUN KEUNKR,심연근,KIM, SANG YOUKR,김상유
申请号:
KR1020150157212
公开号:
KR1020170055044A
申请日:
2015.11.10
申请国别(地区):
KR
年份:
2017
代理人:
摘要:
A plasma generation control method is disclosed. The plasma generation control method includes the steps of: applying a voltage to a plasma generation film where electrodes are formed on both surfaces of an insulating film, respectively measuring a Vpp value of the voltage applied to the electrode comparing a reference Vpp value with the measured Vpp value and blocking the application of the voltage if the measured Vpp value corresponds to a predetermined percentage range of the reference Vpp value. Accordingly, the present invention can prevent a medical accident due to the generation of a plasma contamination material.COPYRIGHT KIPO 2017플라스마 발생 제어 방법이 개시된다. 플라스마 발생 제어 방법은 절연 필름의 양면에 전극이 각각 형성된 플라스마 발생 필름에 전압을 인가하는 단계 상기 전극에 인가된 전압의 Vpp값을 측정하는 단계 기준 Vpp값과 상기 측정 Vpp값을 비교하는 단계 및 상기 측정 Vpp값이 상기 기준 Vpp값의 소정 퍼센트 범위에 해당할 경우, 상기 전압 인가를 차단하는 단계를 포함한다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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