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一种禾本科植物结构遗态的高硅莫来石及其制备方法
- 专利权人:
- 武汉科技大学
- 发明人:
- 李远兵,刘静静,李淑静,李亚伟,桑绍柏
- 申请号：
- CN201410457026.9
- 公开号：
- CN104211426B
- 申请日:
- 2014.09.10
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 张火春
- 摘要：
- 本发明涉及一种禾本科植物结构遗态的高硅莫来石及其制备方法。其技术方案是：以10~70wt%的禾本科植物为模板，以30~90wt%的铝溶胶为浸渍剂，在常压或103~104Pa条件下浸渍3~24h，搅拌均匀；再将浸渍有铝溶胶的禾本科植物在60~200℃条件下烘烤24~48h，然后在1100~1400℃的条件下保温2~12h，即得禾本科植物结构遗态的高硅莫来石。本发明不仅完整地保存了天然植物的本征结构，且在天然植物的孔壁及表面形成了莫来石纳米颗粒，不仅细化了孔结构，而且增强了其骨架强度、高温体积稳定性和耐酸耐碱腐蚀性，这种多孔形态的本征结构，具有较大的比表面积，在高温隔热、催化剂载体等领域具有较大的潜力。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
