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DISPOSITIF DE CAPTEUR ET APPAREIL SEMICONDUCTEUR
专利权人:
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.;株式会社半導体エネルギー研究所
发明人:
NAKAGAWA, Takashi,中川貴史,IKEDA, Takayuki,池田隆之,FUKUTOME, Takahiro,福留貴浩
申请号:
IBIB2019/058363
公开号:
WO2020/075009A1
申请日:
2019.10.02
申请国别(地区):
IB
年份:
2020
代理人:
摘要:
Provided is a flexible semiconductor apparatus that is equipped with a light-emitting element and a sensor element. The semiconductor apparatus has a sensor device, a processor, and a communication device. The sensor device has a first pixel and a second pixel that are formed on a flexible substrate. The first pixel has a light-emitting element and a first transistor, while the second pixel has a sensor element having a photoelectric conversion function and a second transistor, wherein light emitted from the light-emitting element has a peak wavelength. The wavelength range to be detected by the sensor element encompasses said peak wavelength. A semiconductor layer in the first transistor and a semiconductor layer in the second transistor include the same chemical element. A pixel electrode in the light-emitting element has a function of being electrically connected to the first transistor, and a function of blocking diffused light with respect to the sensor element.L'invention concerne un appareil semi-conducteur flexible qui est équipé d'un élément électroluminescent et d'un élément capteur. L'appareil à semi-conducteur comprend un dispositif de capteur, un processeur et un dispositif de communication. Le dispositif de capteur a un premier pixel et un second pixel qui sont formés sur un substrat flexible. Le premier pixel a un élément électroluminescent et un premier transistor, tandis que le second pixel a un élément de capteur ayant une fonction de conversion photoélectrique et un second transistor, la lumière émise par l'élément électroluminescent ayant une longueur d'onde maximale. La plage de longueurs d'onde à détecter par l'élément capteur englobe ladite longueur d'onde maximale. Une couche semi-conductrice dans le premier transistor et une couche semi-conductrice dans le second transistor comprennent le même élément chimique. Une électrode de pixel dans l'élément électroluminescent a une fonction d'être électriquement raccordée au premier transistor, et un
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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