CHENG, Kangguo,HASSIBI, Arjang,KHAKIFIROOZ, Ali,MODHA, Dharmendra, S.
申请号：
USUS2012/067169
公开号：
WO2013/082341A1
申请日:
2012.11.30
申请国别(地区):
US
年份:
2013
代理人:
摘要：
A method includes forming one or more trenches (104) in a substrate (106)； lining the one or more trenches (104) with a dielectric liner (112)； filling the one or more trenches (104) with a conductive electrode (102) to form one or more trench electrodes (102)； forming a transistor layer (108) on the substrate (106)； connecting each of the one or more trench electrodes (102) to at least one access transistor (716) in the transistor layer (108)； and thinning the substrate (106) to expose at least a portion of each of the trench electrodes (102).L'invention concerne un procédé qui consiste : à former une ou plusieurs tranchées (104) dans un substrat (106) ； à revêtir ladite ou lesdites tranchées (104) d'un revêtement diélectrique (112) ； à remplir ladite ou lesdites tranchées (104) d'une électrode conductrice (102) afin de former une ou plusieurs électrodes en tranchée (102) ； à former une couche de transistors (108) sur le substrat (106) ； à connecter ladite ou chacune desdites électrodes en tranchée (102) à au moins un transistor d'accès (716) dans la couche de transistors (108) ； à amincir le substrat (106) pour exposer au moins une partie de chacune des électrodes en tranchée (102).
