基于D-T中子发射器的硼中子俘获治疗装置
- 专利权人:
- 长春工业大学
- 发明人:
- 程道文,李鑫,韩冬,向鹏,韦韧,董小刚,孙正昊,兰民,贾福全
- 申请号：
- CN201120051820.5
- 公开号：
- CN202236912U
- 申请日:
- 2011.03.02
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 摘要：
- 本实用新型涉及一种基于D-T中子发射器的硼中子俘获治疗装置，热中子反射体、快中子反射体、D-T中子发生器、中子慢化体和热中子聚焦体依次放置，在中子慢化体内部有一条热中子通道，装置外部用中子吸收体包裹，达到辐射防护的要求，本实用新型的特征在于，在D-T中子发生器的一侧依次放置快中子反射体和热中子反射体，反射沿此方向运动的中子，在D-T中子发生器另一侧的中子慢化体外部放置热中子聚焦体，用于反射远离中子慢化体的热中子，以提高热中子的利用率。在D-T中子发生器产额达到1011n/s时，本实用新型可以用于硼中子俘获治疗。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
