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近红外二区/一区双模态荧光断层成像系统及方法
专利权人:
中国科学院自动化研究所
发明人:
田捷,胡振华,蔡美山,曹财广
申请号:
CN201910599396.9
公开号:
CN110327020A
申请日:
2019.04.07
申请国别(地区):
CN
年份:
2019
代理人:
摘要:
本发明属于荧光成像领域,具体涉及了一种近红外二区/一区双模态荧光断层成像系统及方法,旨在解决成像质量差、定位精度低的问题。近红外二区/一区双模态荧光断层成像系统一实施例包括:照明模块、激发模块、近红外二区采集模块、近红外一区采集模块、CT成像模块和中央控制模块,中央控制模块,配置为基于白光图像、近红外二区荧光图像、近红外一区荧光图像和荧光图像重建近红外二区三维断层图像和近红外一区三维断层图像。本发明有益效果为:重建出的三维空间的肿瘤信号具备深度特征,更加接近真实肿瘤分布,重建位置更加准确;辅助以图像显示单元,能直观、清晰、任意角度地显示肿瘤的三维形态。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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