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もやし育成システムにおけるエチレンガス濃度の制御機構
专利权人:
門馬;直志
发明人:
門馬 直志
申请号:
JP2013140942
公开号:
JP5422770B2
申请日:
2013.07.04
申请国别(地区):
JP
年份:
2014
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for controlling bean sprout growth by accurately performing ethylene gas concentration control at about 0.1-5 ppm concentration even when using ethylene.SOLUTION: An ethylene concentration controlling mechanism includes measuring using gas chromatograph, an ethylene concentration in a bean sprout growing chamber to grow bean sprouts, using a gas pressure difference between an ethylene gas supply part storing ethylene in a pressurized condition, and the bean sprout growing chamber to supply the gas according to a fixed concentration, ethylene stored in the ethylene gas supply part from the ethylene gas supply part to the bean sprout growing chamber, and controlling an ethylene concentration in the bean sprout growing chamber to a fixed concentration range.COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT【課題】エチレンを用いる場合でも、0.1~5ppm程度の濃度で精度よくエチレンガスの濃度管理を行い、もやしの生育を制御する技術を提供することを目的とする。【解決手段】もやしを育成するもやし育成室内のエチレン濃度をガスクロマトグラフを用いて測定し、設定濃度に応じて、エチレンを加圧状態で貯蔵するエチレンガス供給部と前記もやし育成室とのガス圧差を利用して、前記エチレンガス供給部で貯蔵されているエチレンを前記エチレンガス供給部から前記もやし育成室へ供給し、もやし育成室内のエチレン濃度を設定濃度範囲に制御する、エチレン濃度の制御機構により解決する。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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