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PRESSURE SENSING IMPLANT
专利权人:
ENDOTRONIX; INC.
发明人:
ROWLAND, Harry,NAGY, Michael,PLAG, Nathan,PANIAN, Tyler,SUNDARAM, Suresh
申请号:
USUS2017/042702
公开号:
WO2018/017636A2
申请日:
2017.07.19
申请国别(地区):
WO
年份:
2018
代理人:
摘要:
Disclosed is an implant and method of making an implant. The implant having a housing that defines a cavity. The housing includes a sensor comprising a base attached to a diaphragm wherein said base may be positioned within said cavity. The sensor may be a capacitive pressure sensor. The diaphragm may be connected to the housing to hermetically seal said housing. The sensor may include electrical contacts positioned on the diaphragm. The base may define a capacitive gap and a vent wherein the electrodes may be positioned within said capacitive gap such that at least a portion of the electrical contacts extend through the vent. The implant may include a coil in electric communication with the sensor, said coil may be positioned within said housing. A printed circuit board having at least one component may be attached to the floating base.La présente invention concerne un implant et un procédé de fabrication dun implant. Limplant comporte un logement qui définit une cavité. Le logement comprend un capteur comprenant une base fixée à un diaphragme, ladite base pouvant être positionnée à lintérieur de ladite cavité. Le capteur peut être un capteur de pression capacitif. Le diaphragme peut être raccordé au logement pour fermer hermétiquement ledit logement. Le capteur peut comprendre des contacts électriques positionnés sur le diaphragme. La base peut définir un espace capacitif et un évent dans lequel les électrodes peuvent être positionnées à lintérieur dudit espace capacitif de sorte quau moins une partie des contacts électriques sétende à travers lévent. Limplant peut comprendre une bobine en communication électrique avec le capteur, ladite bobine pouvant être positionnée à lintérieur dudit logement. Une carte de circuit imprimé ayant au moins un composant peut être fixée à la base flottante.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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