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一种利用气囊调节深度的干电极及穿戴式脑电检测装置
- 专利权人:
- 北京航空航天大学
- 发明人:
- 郑德智,张帅磊,王帅
- 申请号：
- CN201910284509.6
- 公开号：
- CN109893129A
- 申请日:
- 2019.10.04
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种利用气囊调节深度的干电极及穿戴式脑电检测装置,在干电极的套筒与探针底座之间夹有气囊,通过对气囊进行充气或排气,可以连续调节气囊的高度,从而可以连续调节探针的深度。针对同一使用者,当干电极处于头骨凸出位置时,可以通过减少气囊内气体来缩短气囊的高度从而缩短干电极的有效长度;当干电极处于头骨凹陷位置时,可以通过向气囊内充入气体来增大气囊的高度以此增大干电极的有效长度,从而可以保证干电极与使用者的头皮的充分接触,进而可以减小输入阻抗,提高采集到的脑电信号的质量。针对不同使用者,可以通过对气囊进行充气或排气来改变气囊的高度从而改变干电极的有效长度,可以使探针贴合不同形状和尺寸的头骨。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
