您的位置：
首页
>
农业专利
>
详情页
提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法
- 专利权人:
- 贵州振华风光半导体有限公司
- 发明人:
- 杨成刚,刘学林,苏贵东,张玉刚,沈金晶
- 申请号：
- CN201410304879.9
- 公开号：
- CN104072206B
- 申请日:
- 2014.06.30
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 刘安宁
- 摘要：
- 本发明公开了提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法，包括：(1)在高真空环境中对氮化铝陶瓷基片进行加热烘烤，加热和抽真空同步进行，将水汽完全挥发和抽掉；(2)在高真空环境下，用磁控溅射工艺或电子束蒸发工艺，在氮化铝陶瓷基片的正面利用金属掩模选择性地形成一层耐高温、高熔点复合金属薄膜，在氮化铝陶瓷基片的背面整体形成一层耐高温、高熔点复合金属薄膜；(3)在已形成复合金属薄膜的氮化铝陶瓷基片正面进行厚膜导带、厚膜阻带的丝网印刷、烧结和调阻，进行常规混合集成，即得到附着力较高的氮化铝陶瓷基片。用本法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于高可靠装备系统领域。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
