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一种在缺钾胁迫条件下大豆高产栽培的方法
- 专利权人:
- 中国科学院植物研究所
- 发明人:
- 张文浩,韩兴国,苗保河
- 申请号：
- CN200810239318.X
- 公开号：
- CN101743825A
- 申请日:
- 2008.12.10
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2010
- 代理人:
- 关畅`任凤华
- 摘要：
- 本发明公开了一种在缺钾胁迫条件下栽培大豆的方法。该方法是将硅肥在大豆播种前和/或在大豆生长期内施用，使大豆在缺钾胁迫条件下正常生长。本发明通过在缺钾胁迫条件下，在大豆开花初期施以硅钙肥，在大豆的彭粒期施以Na2SiO3，结果表明，施以硅钙肥和Na2SiO3的实验组大豆，其倒伏级数为0.87级，明显优于对照组的3.61级；实验组大豆的染病毒病为0.65级，高于对照组的0.91级，实验组比对照组大豆百粒重平均提高0.22克，实验组大豆平均单产量达到212.71kg/亩，比对照组平均单产量提高12.62％。本发明的在缺钾胁迫条件下栽培大豆的方法，不仅具有重要的应用价值和可操作性，而且具有先进的科学性。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
