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用于镁植入物材料上的生物相容性等离子体电解涂层的贫电解质
- 专利权人:
- 新特斯有限责任公司
- 发明人:
- T.伊姆温克里伊德,P.库泽,S.贝克,D.巴纳杰,T.施瓦兹
- 申请号：
- CN201280054582.0
- 公开号：
- CN104023759A
- 申请日:
- 2012.11.07
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本公开至少部分地涉及一种在镁及其合金上产生陶瓷层的方法，具有通过所述方法制备的陶瓷层的镁植入物，以及具有生物相容性陶瓷层的镁植入物，所述生物相容性陶瓷层基本上不含损害所述生物相容性陶瓷层的生物相容性的材料。在一个示例性实施例中，在镁及其合金上产生陶瓷层的所述方法包括(a)将植入物和金属片浸入水性电解质浴，所述水性电解质浴包含：氨、磷酸氢二铵和尿素，并且其中所述植入物由镁或其合金制成；(b)通过在所述植入物、所述金属片之间并且透过所述水性电解质浴通电流进行阳极氧化，其中所述植入物连接到电流源的正极，并且所述金属片连接到所述电流源的负极；(c)施加经选择的电流密度以在所述植入物上形成火花，从而在所述植入物上形成陶瓷层。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
