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酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
- 专利权人:
- 住友金属鉱山株式会社
- 发明人:
- 中山 徳行,西村 英一郎,井藁 正史
- 申请号：
- JP20160507730
- 公开号：
- JPWO2015137274(A1)
- 申请日:
- 2015.03.09
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。この酸化物焼結体は、インジウムおよびガリウムを酸化物として含有し、窒素を含有し、亜鉛を含有しない。ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．００５以上０．２０未満であり、ＧａＮ相を実質的に含まない。また、Ｇａ２Ｏ３相を有さないことが好ましい。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した結晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度１．０×１０１８ｃｍ−３以下で、キャリア移動度１０ｃｍ２Ｖ−１ｓｅｃ−１以上が得られる。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
