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一种负载CQ的纳米金封堵介孔二氧化硅控制释放系统及其制备方法和应用
- 专利权人:
- 暨南大学
- 发明人:
- 刘杰,杨丽聪,周艳晖
- 申请号：
- CN201510271819.6
- 公开号：
- CN105030655B
- 申请日:
- 2015.05.25
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及金属纳米材料制备领域,具体公开了一种负载CQ的纳米金封堵介孔二氧化硅控制释放系统及其制备方法和应用。其制备方法为:S1.将介孔二氧化硅MSN进行氨基化修饰得MSN‑NH2;再经4‑羧基苯硼酸修饰得MSN‑BA;S2.将MSN‑BA溶于PBS中,超声分散后加入CQ,搅拌反应12~24h,洗涤得负载CQ的MSN‑BA;S3.将负载CQ的MSN‑BA溶于PBS中,再加入单糖修饰的AuNPs,搅拌反应12~24h,洗涤得MSN‑CQ‑AuNPs。所述的MSN‑CQ‑AuNPs不仅能抑制Aβ的自发聚集,而且具有抑制金属离子所诱导Aβ多肽聚集的作用,可以作为一种潜在的治疗阿尔兹海默症的药物。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
