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采用碳纳米材料调控草坪堆肥基质Cd形态与分布的方法
专利权人:
天津师范大学
发明人:
赵树兰,多立安,卢云峰
申请号:
CN201610443078.X
公开号:
CN106105454A
申请日:
2016.06.21
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
朱红星
摘要:
本发明公开了采用碳纳米材料调控草坪堆肥基质Cd形态与分布的方法,它是将高羊茅种植在PVC管内,然后加入碳纳米材料,每个PVC管内,底层填充河沙30g,上层填充400g生活垃圾堆肥和1%碳纳米材料形成混合基质,静止固化 7天,固化期间每天定量浇水维持土壤持水量,固化结束后种植高羊茅,播种量为0.2 g/cm2;培养期间,室内温度18~25 ℃,相对湿度35%~65%,光照维持堆肥为最大含水量的70%,以保证植物生长所需水分,第70d刈割,并测定相关指标。本发明进一步公开了采用碳纳米材料调控草坪堆肥基质Cd形态与分布的方法在提高基质中重金属向生物不可利用态转化方面的应用。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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