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魔芋高产栽培技术方法
专利权人:
黔南州元泰科技孵化生产力促进中心有限公司
发明人:
郦安江
申请号:
CN201210518769.3
公开号:
CN102939852A
申请日:
2012.12.06
申请国别(地区):
中国
年份:
2013
代理人:
刘学诗
摘要:
一种魔芋栽培方法,它有以下措施,填肥闷地、种子处理、新栽培方式、合理施肥与除草;填肥闷地:耕地起垄,在垄上打穴,穴深30~50cm,穴大直径为95cm,在穴内填肥,用薄膜将垄覆盖后膜边用土压严闷地30天以后揭开薄膜晾地七天即种植魔芋;种子处理:将魔芋种剔除坏的后按大小分类,晾种15~30天,临种前用多菌灵500倍水稀释液浸泡1分钟拎出晾干即播种;栽培方法:每亩打穴2500~3000穴,栽植深6~9cm;施肥和除草:施用一次微生物菌肥;未出苗期间喷一次除草剂,在魔芋入种后即在垄上打杀菌剂,每15天一次,解决魔芋种植的病虫害防治问题和合理的除草施肥,使魔芋种植获得高产。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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