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無線周波数信号を増幅する装置及び方法
专利权人:
コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ
发明人:
ゼン,ケチウ,リウ,ヨン,ワン,タオ
申请号:
JP2014559321
公开号:
JP2015509783A
申请日:
2013.02.20
申请国别(地区):
JP
年份:
2015
代理人:
摘要:
The present invention relates to an apparatus and method for amplifying a radio frequency signal, and provides an MRI system having the device. One aspect of the present invention is an apparatus for amplifying a radio frequency (RF) signal, a magnetic insensitive input balun (10) that converts the RF signal of the unbalanced form into balanced signals, each group has at least one MOSFET (30, 40) includes, at least two MOSFET group to amplify each of the balanced signal by the push-pull method, a magnetic insensitive output balun (60) for converting the amplified balanced signal to an unbalanced form, at least and two magnetic insensitive input matching network to the input impedance of the MOSFET group aligned with the output impedance of the magnetic insensitive input balun (10) (20, 20 ), wherein at least two of the output impedance of the MOSFET group said magnetic insensitive output balun a magnetic insensitive output matching network that matches the input impedance of the (60) (50, 50 ), to protect from the balanced signal DC to DC power supplies (DC) has been the amplification for driving said at least two of the MOSFET group a magnetic insensitive protection circuit (70, 70 ), we propose a device having a. Proposal of the device, not only have a high power output, not affected by magnetism. Therefore, the apparatus can operate even in an environment of strong magnetic fields such as MRI scanner room.本発明は、無線周波数信号を増幅する装置及び方法、並びに該装置を有するMRIシステムを提供する。本発明の一態様は、無線周波数(RF)信号を増幅する装置であって、不平衡形式の前記RF信号を平衡信号に変換する磁気不感入力バラン(10)と、各グループが少なくとも1つのMOSFET(30、40)を含み、それぞれ前記平衡信号をプッシュプル方式で増幅する少なくとも2つのMOSFETグループと、前記増幅された平衡信号を不平衡形式に変換する磁気不感出力バラン(60)と、前記少なくとも2つのMOSFETグループの入力インピーダンスを前記磁気不感入力バラン(10)の出力インピーダンスと整合する磁気不感入力整合ネットワーク(20、20’)と、前記少なくとも2つのMOSFETグループの出力インピーダンスを前記磁気不感出力バラン(60)の入力インピーダンスと整合する磁気不感出力整合ネットワーク(50、50’)と、前記少なくとも2つのMOSFETグループを駆動する直流(DC)を供給するDC電源を前記増幅された平衡信号から保護する磁気不感保護回路(70、70’)と、を有する装置を提案する。提案の装置は、高電力出力を有するだけでなく、磁気の影響を受けない。したがって、当該装置は、MRIスキャナ室のような強力な磁界の環境内でも動作できる。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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