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METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PLASMONIC DEVICE AND ABSORBER AND METHOD FOR MAKING THE SAME
专利权人:
Kevin Michael MCPEAK
发明人:
Kevin Michael MCPEAK
申请号:
US16623281
公开号:
US20200196611A1
申请日:
2018.06.15
申请国别(地区):
US
年份:
2020
代理人:
摘要:
A metal-semiconductor-metal (MSM) plasmonic device includes a substrate; a metal layer deposited on the substrate, the metal layer being substantially reflective in at least the visible wavelength range; an oxide layer deposited on the metal layer; and gold or gold alloy nanoparticles deposited on the oxide layer.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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