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一种在CMOS标准工艺下的生物化学传感器
专利权人:
张家港万众一芯生物科技有限公司
发明人:
薛李荣,孙伟,朱春蓉
申请号:
CN201610378981.2
公开号:
CN107449812A
申请日:
2016.06.01
申请国别(地区):
中国
年份:
2017
代理人:
杨燕
摘要:
本发明公开了一种在CMOS标准工艺下的生物化学传感器,包括底座、离子敏感场效应晶体管、金属层、接触层、电极;离子敏感场效应晶体管设置在底座上;晶体管包括在CMOS多晶硅层形成的多晶硅沟道,多晶硅沟道两端分别连接源极和漏极,源极和漏极再通过接触层与金属层连接;多晶硅沟道的多晶硅沟道区域暴露出来接触电解质溶液;电极接触电解质溶液,为多晶硅沟道提供栅极电压。本发明的多晶硅传感器具有很高的灵敏度,采用CMOS工艺大幅提高传感器的重复性,降低了器件误差,降低生产成本。本发明的微型传感器很适合环境物联网,农业物联网,及生物检测等广泛应用。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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