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SILICON OXIDE-COATED ZINC OXIDE AND METHOD FOR PREPARING SAME AND COMPOSITION AND COSMETIC MATERIAL CONTAINING SILICON OXIDE-COATED ZINC OXIDE
专利权人:
스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤
发明人:
스마 슌스케,이타가키 테츠로,마츠시타 히로카즈,스마 ?스케
申请号:
KR1020177012717
公开号:
KR1020170083043A
申请日:
2015.11.11
申请国别(地区):
KR
年份:
2017
代理人:
摘要:
According to the present invention, there is provided a silicon oxide-coated zinc oxide in which the elution of zinc ions is suppressed even in the case of a silica coating formed of an alkali metal silicate, a method for producing the same, and a composition containing silicon oxide- The silicon oxide-coated zinc oxide of the present invention is a silicon oxide-coated zinc oxide formed by covering the surface of a zinc oxide particle with a silicon oxide coating, wherein the zinc oxide particles have an average primary particle diameter of more than 50 nm and not more than 500 nm the dissolution rate S of zinc oxide defined by the following formula (1) is 50% or less when kept in a buffer solution of pH = 5 for 1 hour. Dissolution rate S = (amount of eluted zinc oxide) / (amount of zinc oxide in silicon oxide-coated zinc oxide) (One)본 발명에 의하여, 규산 알칼리 금속염으로 형성된 실리카 피막이더라도, 아연 이온의 용출이 억제된 산화 규소 피복 산화 아연과 그 제조 방법 및 산화 규소 피복 산화 아연 함유 조성물과 화장료가 제공된다. 본 발명의 산화 규소 피복 산화 아연은, 산화 아연 입자의 표면을 산화 규소 피막에 의하여 피복하여 이루어지는 산화 규소 피복 산화 아연으로서, 상기 산화 아연 입자의 평균 1차 입자경은 50nm를 넘고 또한 500nm 이하이며, 또한 pH=5의 완충액에 1시간 유지했을 때에 있어서의, 하기 식 (1)에서 정의되는 산화 아연의 용출률 S가 50% 이하이다.용출률 S=(용출된 산화 아연량)/(산화 규소 피복 산화 아연 중의 산화 아연량)…(1)
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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