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脑深部刺激电极、其制作方法及刺激系统
- 专利权人:
- 苏州景昱医疗器械有限公司
- 发明人:
- 豆美娟,朱为然
- 申请号：
- CN201610213488.5
- 公开号：
- CN105727440A
- 申请日:
- 2016.04.07
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明揭示了一种脑深部刺激电极、其制作方法及刺激系统，所述电极包括具有近端及远端的电极本体，所述电极本体具有相互垂直的长度方向及宽度方向，所述电极还包括位于远端的若干电极触点，于所述长度方向上，相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米。本发明的相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米，如此的间距设计，可以有效考虑到因磁共振偏差、电极漂移、脑部塌陷、手术头架等误差情况存在而引起的脑深部刺激电极插入核团的位置的偏差，从而可以大大提高位于核团内的电极触点有效刺激面积，如此，提高了对患者的刺激效果，减少了插偏时刺激所带来的副作用，且延长了脑深部电刺激系统中的电池使用寿命。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
