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半导体硫化钼-三氧化二铁复合纳米材料红外诱导杀菌及其应用
专利权人:
扬州大学
发明人:
张娅,龚书珺,王宏归
申请号:
CN202010340203.0
公开号:
CN111328832A
申请日:
2020.26.04
申请国别(地区):
CN
年份:
2020
代理人:
摘要:
本发明涉及一种半导体硫化钼‑三氧化二铁复合纳米材料红外诱导杀菌及其应用,包括如下步骤:将七水合硫酸亚铁加入去离子水中作为溶液一,将次氯酸钠加入去离子水中作为溶液二,将溶液二逐滴加入溶液一中,不断搅拌,直至变成淡黄色透明溶液,作为溶液三,将溶液三于高压釜中反应若干小时后,离心、洗涤、烘干,得到三氧化二铁纳米粒子。将硫脲和钼酸钠溶于去离子水中,并将之前合成好的三氧化二铁加入硫化钼的合成体系中,于高压釜中反应若干小时后,离心分离得到沉淀物,清洗、烘干过夜,得到硫化钼‑三氧化二铁复合纳米材料。该半导体硫化钼‑三氧化二铁复合纳米材料用于抑制大肠杆菌实验,具有易回收、成本低、性能好等优点。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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