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马铃薯半高垄覆膜自破膜出苗栽培方法
- 专利权人:
- 内蒙古自治区农牧业科学院
- 发明人:
- 路战远,张向前,程玉臣,叶雪松,张德健,张海林,韩润宝,杨彬,刘孝忱,张建中,咸丰,白海,王玉芬,智颖飙,郭晓霞,张荷亮,孙鸿举,张富荣,李艳艳,李娟
- 申请号：
- CN201510043098.3
- 公开号：
- CN104938168A
- 申请日:
- 2015.01.23
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 王社
- 摘要：
- 本发明公开了一种马铃薯半高垄覆膜自破膜出苗栽培方法，播种方式为半高垄作膜下滴灌采用大小垄双行种植模式，在垄台上播种，小行距为30～35cm，大行距为55～60cm，株距为32～38cm，播种密度为52500～60000株/hm2，滴灌管铺设在小行距中间，播种时间在5月上旬，当土壤10cm深处地温达到8～10℃时即可播种，播种深度为6～12cm。起垄整形的垄高为10cm的半高垄，垄台宽度为50～65cm，垄距100～130cm。膜上覆土厚度为5～7cm，覆土时间为播后当天或集中在5～7d内完成。由于本发明采用播种后在地膜上全覆土的方法，有效改善了土壤的肥水条件，起到避免春季风大吹破地膜，达到抑制畦面长草的效果。本栽培方法有提高地温，缩短出苗及收获时间，且马铃薯自行破膜出土的优点。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
