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岩质边坡植被生长基质条件再造方法
- 专利权人:
- 武汉工程大学;湖北兴发化工集团股份有限公司
- 发明人:
- 柴修伟,倪小山,阎要峰,杨美洪,许奎,徐亮,李智,赵军,李明义
- 申请号：
- CN201611266546.7
- 公开号：
- CN106665167A
- 申请日:
- 2016.12.31
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 刘洋
- 摘要：
- 本发明公开了一种岩质边坡植被生长基质条件再造方法。包括以下步骤：岩质边坡上按照与坡面法线夹角10°内的方向选位钻孔；在钻孔底部填装碎石厚度25‑35cm；中间填装沙土厚度25‑35cm；表层填装腐殖土厚度45‑55cm；将植被根部种植在腐殖土中。所述植被为沙地柏、铺地柏、爬山虎的任意一种或者混合。孔径为45‑55mm，孔深为0.95～1.25m，孔距为1‑1.4m，排距为1.3‑1.5m。本发明给植物的生长、根系延伸和充足的基质条件提供空间，而且所选取的孔网参数，是考虑到既不能破坏岩质边坡的自身稳定性，也要满足植物自身正常生长的空间和生长基质的需要。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
