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立体盆栽基质及其制造方法
专利权人:
刘克锋
发明人:
刘克锋
申请号:
CN202110936198.4
公开号:
CN113924944B
申请日:
2021.08.16
申请国别(地区):
CN
年份:
2023
代理人:
摘要:
一种立体盆栽基质及其制造方法。该立体盆栽基质包括尺寸为大于15mm粒级的碎粒的体积百分比为0%‑25%,尺寸为10mm‑15mm粒级的碎粒的体积百分比为5%‑20%,尺寸为5mm‑10mm但不含10mm的粒级的碎粒的体积百分比为10%‑20%,尺寸为1mm‑5mm但不含5mm的粒级的碎粒的体积百分比为15%‑25%,尺寸为1mm粒级以下的碎粒的体积百分比为25%‑55%。本发明的立体盆栽基质,利用多种无机物成分和有机物成分作为原料,通过调控基质中的不同大小粒径的粒级,控制基质空隙比例即孔径分布,建立起科学合理的盆栽,即容器栽培基质,最大限度地适用于各种不同种类盆栽所需的水分、氧气、营养供应,立体盆栽基质容重较轻,减少楼体负荷并具有保肥保水能力强等优点。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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