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利用多层聚电解质膜基底制备的磷脂双层膜阵列及其方法
- 专利权人:
- 哈尔滨工业大学
- 发明人:
- 韩晓军,张迎,齐国栋
- 申请号：
- CN201210592044.9
- 公开号：
- CN103030305B
- 申请日:
- 2012.12.17
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 一种利用多层聚电解质膜基底制备的磷脂双层膜阵列及其方法，利用静电层层自组装技术在3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)修饰的硅基底上制备聚电解质聚(4-苯乙烯磺酸钠)(PSS)和聚(二烯丙基二甲基氯化铵)(PDDA)多层膜，采用光刻技术对修饰后的基底进行图案化，制备聚电解质的不同类型的阵列，然后在阵列底制备磷脂双层膜，从而实现了磷脂双层膜阵列的制备。本方法将层层组装技术引入到图案化基底的制备中，丰富和扩展了磷脂双层膜阵列的制备方法，具有操作简单、反应条件温和、可控性好、稳定性高和成本低等优点，为膜生物物理学，界面化学，生物化学，仿生学和微纳米技术领域的相关生物膜特性研究和应用提供了可靠的技术。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
