Die Erfindung betrifft einen Strahlungsdetektor (D) mit einer Vielzahl von flächig nebeneinander angeordneten Detektorelementen, wobei zur Strahlungsdetektion eine Halbleiterschicht (H) mit einer Ober- und einer Unterseite vorliegt, die Halbleiterschicht (H) auf einer der Seiten eine über mehrere Detektorelemente übergreifend ausgeführte Elektrode (E1) aufweist und auf der anderen Seite der Halbleiterschicht (H) in Einzelelektroden (E2) unterteilte Elektroden angeordnet sind, so dass durch Anlegen von Spannung zwischen den Elektroden der beiden Seiten ein elektrisches Feld (F) erzeugt werden kann und jeder Einzelelektrode (E2) ein wirksames Volumen zur Sammlung von Ladung in der Halbleiterschicht (H) zugeordnet ist. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass die Einzelelektroden (E2) abwechselnd mit mindestens zwei unterschiedlichen Spannungspotentialen (U2.1, U2.2) verbunden sind.Weiterhin betrifft die Erfindung ein medizinisches Diagnosesystem (1) mit mindestens einem solchen Strahlungsdetektor.The present invention relates to a radiation detector (d) with a plurality of flat detector elements arranged next to one another, whereby for the radiation detection with a semiconductor layer (h) with an upper and a lower side is present, the semiconductor layer (h) on one of the sides by means of a plurality of detector elements, which is constructed so as to overlap an electrode (e1) and comprises on the other side of the semiconductor layer (h), which is divided into individual electrodes (e2) electrodes are arranged so that by the application of voltage between the electrodes of the two sides of an electric field (f) can be generated and each individual electrode (e2) an effective volume for the collection of charge in the semiconductor layer (h) is associated with. The invention is characterised in that the individual electrodes (e2) alternately with at least two different voltage potentials (u2.1 u2.2) are connected.Furthermore, the invention relates to a medical
