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一种免疫传感器及其制备方法和2,4-D的检测方法
专利权人:
中国电子工程设计院
发明人:
薛瑞,康天放,王立,杨敬增,李金惠
申请号:
CN201510330433.8
公开号:
CN104931571A
申请日:
2015.06.15
申请国别(地区):
中国
年份:
2015
代理人:
黄志华
摘要:
本发明公开了一种免疫传感器及其制备方法、2,4-D的检测方法。根据本发明的免疫传感器为修饰了2,4-D的电极。免疫传感器的制备方法包括:羟基化步骤;氨基硅烷化步骤;2,4-D修饰步骤。本发明2,4-D的检测方法,提供免疫传感器;该方法包括:待测液处理步骤:在待测液中加入辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体;竞争结合步骤:将免疫传感器置于待测液中温育,待测液中2,4-D和免疫传感器上修饰的2,4-D竞争结合辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体;伏安法测定步骤:用伏安法测定免疫传感器结合的辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体产生的响应电流,将响应电流量与标准曲线比对得待测液中2,4-D含量。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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