Diffuse reflectance in the ultraviolet irradiation before and after the atmosphere and will be a chemical etching treatment with a basic solution (wavelength: 700nm) is less than 10% the rate of change of the oxide and tungsten oxide photocatalyst, modified with copper ions copper ions modification step to modify the copper ions in tungsten powder, either before or after the copper ion modification step, a chemical etching step of chemical etching process with a basic aqueous tungsten oxide powder, and 200 ℃ less after these steps at and a drying step for drying, the method including tungsten oxide photocatalyst modified with copper ions.塩基性水溶液によりケミカルエッチング処理されてなり、かつ大気中での紫外線照射前後における拡散反射率(波長:700nm)の変化率が10%未満である、銅イオンで修飾された酸化タングステン光触媒、及び酸化タングステン粉末に銅イオンを修飾させる銅イオン修飾工程と、当該銅イオン修飾工程の前後いずれかに、酸化タングステン粉末を塩基性水溶液でケミカルエッチング処理するケミカルエッチング工程と、これらの工程の後に200℃以下で乾燥を行う乾燥工程とを含む、銅イオンで修飾された酸化タングステン光触媒の製造方法である。
