1,4‑二恶烷降解菌的培养方法、培养基、利用1,4‑二恶烷降解菌的1,4‑二恶烷处理方法
- 专利权人:
- 大成建设株式会社;国立大学法人大阪大学;学校法人北里研究所
- 发明人:
- 山本哲史,斋藤祐二,池道彦,黑田真史,清和成,井上大介
- 申请号：
- CN201580054498.2
- 公开号：
- CN107109349A
- 申请日:
- 2015.10.07
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 张建鹏
- 摘要：
- 本发明的课题在于提供一种1,4‑二恶烷降解菌的高效的培养方法。作为解决方法，在于提供下述1,4‑二恶烷降解菌的培养方法，其特征在于，使用含有二乙二醇的培养基从而使1,4‑二恶烷降解菌增殖。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
