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一穴多株玉米高产栽培技术
专利权人:
王昌瑞
发明人:
王昌瑞
申请号:
CN200910146123.5
公开号:
CN101574039A
申请日:
2009.06.08
申请国别(地区):
中国
年份:
2009
代理人:
摘要:
本发明公开了一种一穴多株玉米高产栽培技术,该技术是改变传统的玉米小垄单株清种栽培模式,采用种一垄空一垄不种(一比空)和一穴多株的组合式栽培方式,使行距为100~110cm,穴距为50~60cm。该栽培技术一穴多株其根系密集生长在一起,根量多、扎的深、根系范围大,再加上穴与穴中的株间空间距离加大了许多,风从较大的空间吹过,植株对风的阻力变小,大大提高了玉米的抗倒伏能力;穴与穴中的株间空间距离加大又使植株透光性能好,光和作用增强,使玉米植株在最适应的环境下生长发育,可有效提高玉米的每亩产量。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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