一种制备高含量霍山石斛多糖的方法
- 专利权人:
- 安徽斛生记生物科技有限公司
- 发明人:
- 韩冬
- 申请号：
- CN201610611379.9
- 公开号：
- CN106172003A
- 申请日:
- 2016.07.30
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种制备高含量霍山石斛多糖的方法，具体的说是利用快速繁殖技术进行繁殖，再通过不同的植物生长调节剂的调节作用下，使得霍山石斛快速生长，在短时间内达到多糖含量最高值的一种方法。包括以下步骤：（1）选择霍山石斛原球茎做外植体，经前处理，于无菌接种室中接种培养，再诱导培养。（2）继代生根培养，形成单株（3）形成单株后，在植株生长的不同阶段添加不同的生长调节剂，使得植株快速生长，达到预期效果。所述方法能够大幅度缩短霍山石斛的细胞培养及植株成长周期，能在短时间内生长到多糖含量最高值，能大大提高霍山石斛多糖的产率，且工艺比较简单、稳定，环境友好，适合工业化生产。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
