ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人:
GUO YI,MOSLEY DAVID W.
申请号：
FR20170059073
公开号：
FR3056987(A1)
申请日:
2017.09.29
申请国别(地区):
法国
年份:
2018
代理人:
摘要：
La présente invention fournit des compositions de polissage (CMP) de planarisation mécano-chimique aqueuses comprenant une composition de particules de silice positivement chargées avec de 3 à 20 % en masse au total, rapporté aux matière solides totales de particules de silice dans la composition de polissage CMP, d'une ou plusieurs compositions de particules de silice négativement chargées dans lesquelles les particules de silice présentent une taille de particule z-moyenne comme déterminée par diffusion dynamique de la lumière (DLS) de 5 à 50 nm. Le rapport de taille de particule z-moyenne (DLS) des particules de silice dans la composition de particules de silice positivement chargées à celles des particules de silice dans les compositions de particules de silice négativement chargées est de 1:1 à 5:1 ou, de préférence, de 5:4 à 3:1. Les compositions permettent un polissage amélioré de substrats de diélectriques ou d'oxydes et sont stables au stockage pendant au moins 7 jours à temp
