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超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置
专利权人:
SEIKO EPSON CORP
发明人:
NAKAMURA TOMOSUKE,中村 友亮
申请号:
JP2013071587
公开号:
JP2014197735A
申请日:
2013.03.29
申请国别(地区):
JP
年份:
2014
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ultrasonic transducer device which can effectively inhibit ultrasonic waves reflected from a backing material.SOLUTION: An ultrasonic transducer device comprises: a vibrating membrane 24 arranged on a first surface of a substrate 44 a piezoelectric element 25 arranged on the vibrating membrane 24 a backing material 56 overlapped on a second surface on the side opposite to the first surface first scattering structures 58a, 61a, 63a which are formed on a surface at a position overlapping the vibrating membrane 24 in a projection view from a thickness direction of the substrate 44 and have first scattering power second scattering structures 58b, 61b, 63b which are formed on the surface at a position outside the vibrating membrane 24 in a projection view from the thickness direction of the substrate 44 and have second scattering power larger than the first scattering power.COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT【課題】バッキング材から反射する超音波を効果的に抑制することができる超音波トランスデューサー装置を提供する。【解決手段】基板44の第1面に振動膜24が配置される。振動膜24上には圧電素子25が配置される。第1面と反対側の第2面にバッキング材56が重ねられる。基板44の厚み方向からの投影視で振動膜24に重なる位置の表面に第1散乱構造58a、61a、63aが形成される。第1散乱構造58a、61a、63aは第1散乱能を有する。基板44の厚み方向からの投影視で振動膜24外の位置の表面に第2散乱構造58b、61b、63bが形成される。第2散乱構造58b、61b、63bは第1散乱能よりも大きい第2散乱能を有する。【選択図】図6
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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