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遠隔プラズマＰＥＣＶＤを用いたＦＣＶＤハードウェアによる流動性炭素膜
- 专利权人:
- アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
- 发明人:
- チャタジー， アミット
- 申请号：
- JP20160563877
- 公开号：
- JP2017505548(A)
- 申请日:
- 2014.12.12
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明の実施形態は、概して、基板上に流動性炭素含有膜を形成する方法に関する。一実施形態において、酸素含有ガスが、遠隔プラズマ領域に流され、酸素含有プラズマ流出物を生成し、炭素含有ガスが、基板を包含する基板処理領域で酸素含有プラズマ流出物と混合される。炭素含有膜が、基板上に形成されるトレンチ内に形成され、低誘電率（ｌｏｗ ｋ）誘電体材料が、トレンチ内の炭素含有膜上に堆積される。炭素含有膜が、ＵＶ処理により分解され、空隙が、低誘電率（ｌｏｗ ｋ）誘電体材料の下のトレンチ内に形成される。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
