The present invention relates to a radiation-emitting optoelectronic component, wherein the radiation-emitting optoelectronic component A semiconductor chip emitting primary radiation during operation of the component, - converting primary radiation emitted by the semiconductor chip, including Cr- and / or Ni- ions and a host material, during operation of the component into secondary radiation at a wavelength of 700 nm to 2000 nm Wherein the host material is selected from the group consisting of EAGa 12 O 19 , A y Ga 5 O (15 + y) / 2 , AE 3 Ga 2 Ge 4 O 14 , Ln 3 Ga 5 GeO 14 , Ga 2 O 3 , Ln 3 Ga 5.5 D 0.5 O 14 and Mg 4 D 2 O 9 , wherein EA = Mg, Ca, Sr and / or Ba, A = Li, Na, K and / or Rb, AE = Mg, Ca Ba, Ln = La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and / or Lu and D = Nb and / or Ta , y = 0.9-1.9.본 발명은 방사선 방출 광전자 컴포넌트(radiation-emitting optoelectronic component)와 관련이 있고, 상기 방사선 방출 광전자 컴포넌트는- 상기 컴포넌트의 작동 중에 1차 방사선을 방출하는 반도체 칩,- Cr- 및/또는 Ni-이온들 및 호스트 재료(host material)를 포함하고 상기 컴포넌트의 작동 중에 상기 반도체 칩에 의해 방출된 1차 방사선을 700㎚ 내지 2000㎚의 파장의 2차 방사선으로 변환하는 변환 재료를 포함하는 변환 소자를 포함하고, 이때 상기 호스트 재료는 EAGa12O19, AyGa5O(15+y)/2, AE3Ga2Ge4O14, Ln3Ga5GeO14, Ga2O3, Ln3Ga5.5D0.5O14 및 Mg4D2O9을 포함하는 화합물들의 그룹으로부터 선택되었고, 이때 EA = Mg, Ca, Sr 및/또는 Ba, A = Li, Na, K 및/또는 Rb, AE = Mg, Ca, Sr 및/또는 Ba, Ln = La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및/또는 Lu, 그리고 D = Nb 및/또는 Ta이고, y = 0.9-1.9이다.
