一种掺硼金刚石膜/碳膜复合电极材料的制备方法

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专利权人:

四川大学

发明人:

芶立,练发东

申请号：

CN201310659147.7

公开号：

CN103695863B

申请日:

2013.12.09

申请国别(地区):

CN

年份:

2016

代理人:

摘要：

本发明公开了一种掺硼金刚石膜/碳膜复合电极材料的制备方法。其特点是通过采用常规金刚石膜制备方法，先在不导电衬底（2）上制备绝缘金刚石膜（3）。然后在衬底另一面制备掺硼金刚石膜（1），同时绝缘金刚石膜部分转变为碳膜（4）。碳膜的制备主要利用绝缘金刚石膜在高温及硼源中氧的作用下，将金刚石部分转化为非金刚石相例如石墨、非晶态碳，与制备掺硼金刚石膜是同时进行的。这种复合型平面电极材料，在应用时将利用碳膜阻抗低，电荷存储能力更高的优势实现电刺激，同时掺硼金刚石膜信噪比高，更利于电信号的检测。与一般的电极制备方法相比，在衬底上制备了两种电极材料，可以实现两种功能。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/