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制备多孔金属的工艺
专利权人:
北安普敦广场城市大学
发明人:
蒋振宗,陈衍珍,蒋三平,尤金跨
申请号:
CN88106090.9
公开号:
CN1039073A
申请日:
1988.07.22
申请国别(地区):
中国
年份:
1990
代理人:
杨厚昌
摘要:
在一种制备可电解沉积的金属多孔层的工艺中,将一支持材料浸入于含该种金属离子的电解介质中,并使该金属在有一种氧化物质存在时电解沉积于该支持材料上。该氧化物质与该金属反应而形成一种在沉积条件下可被还原的产物。在本工艺的一种类型中,通过将氧气引入介质中以穿过支持材料附近,将一种金属从含有该金属离子的电解质水溶液中沉积于一支持材料上。 本方法可以制备高孔隙率的多孔金属,所得到的多孔金属做为催化材料或电极材料是存用的。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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