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一种预防黄瓜早衰与再生根培植方法
专利权人:
石丽静
发明人:
石丽静
申请号:
CN201310333845.8
公开号:
CN104335783A
申请日:
2013.08.04
申请国别(地区):
中国
年份:
2015
代理人:
摘要:
本发明一种预防黄瓜早衰与再生根培植方法,是通过实践中观察分析,确认导致黄瓜早衰现象的主要原因来自根系。根除使植物固定在土壤上之外,主要是能从土壤中吸收水分和营养,并能合成植株需要的某些重要物质,不断向地上部分输送,根还有多方面的生理功能,是植物生长的基础。由于冬暖型大棚黄瓜生长时间长、产量高,又是浅根系植物,在定植的基础上,因肥、水、小气候等原因,造成植株部分侧根或不定根老化、坏死,导致早衰现象的发生。要消除这一弊端,就必须对黄瓜及时进行再生根的培植,延长其生育期的技术。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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