一种预防黄瓜早衰与再生根培植方法
- 专利权人:
- 石丽静
- 发明人:
- 石丽静
- 申请号:
- CN201310333845.8
- 公开号:
- CN104335783A
- 申请日:
- 2013.08.04
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要:
- 本发明一种预防黄瓜早衰与再生根培植方法,是通过实践中观察分析,确认导致黄瓜早衰现象的主要原因来自根系。根除使植物固定在土壤上之外,主要是能从土壤中吸收水分和营养,并能合成植株需要的某些重要物质,不断向地上部分输送,根还有多方面的生理功能,是植物生长的基础。由于冬暖型大棚黄瓜生长时间长、产量高,又是浅根系植物,在定植的基础上,因肥、水、小气候等原因,造成植株部分侧根或不定根老化、坏死,导致早衰现象的发生。要消除这一弊端,就必须对黄瓜及时进行再生根的培植,延长其生育期的技术。
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心