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PLANTE À ABSORPTION ACCRUE DE SILICIUM
专利权人:
Université Laval;Syngenta Participations AG
发明人:
申请号:
EP16795598.8
公开号:
EP3298150A1
申请日:
2016.05.19
申请国别(地区):
EP
年份:
2018
代理人:
摘要:
The invention relates to nucleic acid sequences defining a genomic region conferring high silicon (Si) accumulation as discovered in the soybean (Glycine max) cultivar Hikmok sorip. Plants having this region, named HiSil, introduced in its nucleic acid exhibit increased Si uptake. Furthermore, markers associated with high Si accumulation and 5 methods of identifying high Si accumulating plants using the markers are provided. The method provided by the invention can be used to develop new plants with high Si accumulation capacity, through breeding, genetic modification or any other forms of plant propagation.L'invention concerne des séquences d'acides nucléiques définissant une région génomique conférant une accumulation élevée de silicium (Si), telle que découverte dans le cultivar Hikmok sorip de soja (Glycine max). Les plantes comprenant cette région, appelée HiSil, introduite dans leurs acides nucléiques présentent une absorption accrue de Si. L'invention concerne en outre des marqueurs associés à une accumulation élevée de Si et des procédés d'identification de plantes à accumulation élevée de Si à l'aide desdits marqueurs. Le procédé de l'invention peut être utilisé pour développer de nouvelles plantes présentant une capacité d'accumulation élevée de Si, par la reproduction, la modification génétique ou toute autre forme de multiplication de plantes.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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