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一种离体培养滨梅茎段扩繁小苗的方法
- 专利权人:
- 闫道良
- 发明人:
- 闫道良
- 申请号：
- CN201410065215.1
- 公开号：
- CN103875530A
- 申请日:
- 2014.02.26
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种离体培养滨梅茎段，实现工厂化高效扩繁滨梅小苗的方法，所述方法的具体步骤如下：(1)首先将滨梅无菌苗剪切成茎段；(2)配制培养基，在MS培养基中加入0.1-1％质量浓度的氯化钠，10-40g/L的蔗糖，2-6g/L的琼脂粉，搅拌均匀后，调节pH至6-7，然后于120℃下灭菌20min；(3)然后将滨梅茎段植入到步骤(2)配制的培养基中，进行室内培养，培养室温度为23-26℃，光照强度为36-40μmol/m2·s，光照时间为10-15h/d。本发明的离体培养滨梅茎段的方法具有培养简单，生长速度快的优点，对大规模工厂化繁殖滨梅具有重大的现实意义，所以本发明的方法具有重大的经济价值和生态价值。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
