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确定平板X射线图像探测器中传感器的几何偏移的方法
专利权人:
NIPK电子封闭式股份有限公司
发明人:
科萨列夫·鲁斯兰·尼古拉耶维奇
申请号:
CN201310205105.6
公开号:
CN103445798A
申请日:
2013.05.29
申请国别(地区):
CN
年份:
2013
代理人:
摘要:
本发明提供一种利用测试装置来确定平板X射线图像探测器中传感器的几何偏移的方法。所述测试装置包括在所述探测器的工作表面上放置的至少两个边缘测试装置。将测试装置在X射线下曝光,以获得所述测试装置的X射线图像。在获得的所述X射线图像中,识别具有与每个所述边缘测试装置的边缘相对应的像素坐标的ROI。利用所述像素坐标,通过目标函数的最小值来确定所述传感器的几何偏移。本发明的技术效果是对特定用途的技术手段的扩展,能够以足够的精度来测量传感器的几何偏移。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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