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快速扩繁剑叶文心兰的培养基组合及方法
专利权人:
发明人:
杨凤玺,朱根发,高洁,李杰,谢琦,魏永路,金建鹏,陆楚桥
申请号:
CN202211160757.8
公开号:
CN115644057A
申请日:
2022.09.22
申请国别(地区):
CN
年份:
2023
代理人:
摘要:
本发明公开了一种快速扩繁剑叶文心兰的培养基组合及方法,所述培养基组合包括播种培养基和继代生长培养基,所述播种培养基为:包括萘乙酸、6‑苄基嘌呤、活性炭、香蕉泥、蔗糖、琼脂的花宝1号培养基;所述继代生长培养基为:包括萘乙酸、6‑苄基嘌呤、活性炭、香蕉泥、蔗糖、琼脂的花宝2号培养基。本发明的培养基组合可以有效促进剑叶文心兰种苗的高效快速繁育,且继代培养后无需经过壮苗生根过程可直接移栽,节省生产成本和周期。更进一步地,通过对继代培养过程中培养条件的优化,可以促进剑叶文心兰成花转变,对规模化、快速生产商品花具有重要意义。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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