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一种高温高湿条件下佛甲草栽培混合基质
专利权人:
广州市东篱环境艺术有限公司
发明人:
何一王,何茜莹,徐玲,汤聪
申请号:
CN201210030116.0
公开号:
CN102577915A
申请日:
2012.02.11
申请国别(地区):
中国
年份:
2012
代理人:
周克佑
摘要:
一种高温高湿条件下适合佛甲草生长的栽培混合基质,本发明旨在公开一种在高温高湿条件下,佛甲草仍可以较正常生长的栽培混合基质,此栽培混合基质成本低、环保卫生,排水和持水能力均衡协调,在高温高湿条件下仍能适合佛甲草的生长。栽培混合基质的主要构成为园林废弃物、珍珠岩、椰糠,按照园林废弃物:珍珠岩:椰糠=8:1:1的比例进行混合。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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