采用碳纳米材料增进堆肥基质高羊茅根系生长的方法
- 专利权人:
- 天津师范大学
- 发明人:
- 多立安,赵树兰,卢云峰
- 申请号：
- CN201610442824.3
- 公开号：
- CN106069245A
- 申请日:
- 2016.06.21
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 朱红星
- 摘要：
- 本发明公开了采用碳纳米材料增进堆肥基质高羊茅根系生长的方法，它是将组配的基质分别装入塑料盆中，高羊茅播种量为每盆5g，室内温度18～25℃，相对湿度为35%～65%，光照为透入室内的自然光6856LX‑27090LX，经常调换盆的位置以保证光照一致，栽种期间每天定量给水，以保证植物生长所需水分；共培养130d，第65d刈割一茬草，测量株高、生物量；第130d刈割，并测定相关指标。实验结果表明：采用碳纳米材料提高堆肥基质高羊茅一茬草根系的生长。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
