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一种马铃薯脱毒苗试管薯的培育方法
- 专利权人:
- 胡荣山
- 发明人:
- 胡荣山,宋昱玘
- 申请号：
- CN201310297271.3
- 公开号：
- CN103392595B
- 申请日:
- 2013.07.16
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 李毅
- 摘要：
- 本发明公开了一种马铃薯脱毒苗试管薯的培育方法，涉及马铃薯试管署的培育方法。包括以下步骤：（1）在MS液体培养基中加入含量为10%的糖，1%的活性炭，不加琼脂，加入滤纸做搭桥，高温灭菌后放入培养基储备室放置两天，制得MS培养基；（2）将准备诱导的脱毒苗切段放入MS培养基中，培养15～25d，培养室温度20～26℃，光照强度为2500～3000Lux，光照时间12h/d；（3）当脱毒苗切断长到7～10cm的时候，将灯光关掉，在半黑暗条件下以自然光为光源，10～15d后开始结小薯。本发明降低了诱导试管薯的成本；无需加入激素、不用物理等诱导方式诱导结薯；可显著提高结薯率，平均每株脱毒苗结薯2～3粒。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
